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Référence Digi-Key IPP60R099C7XKSA1-ND
Quantité disponible 462
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP60R099C7XKSA1

Description MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
Description étendue N-Channel 600V 22A (Tc) 110W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 20 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP60R099C7
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™ C7
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 22A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 490µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 42nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1819pF à 400V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 99 mOhms à 9,7A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SP001298000

03:27:05 1/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,76000 5,76
10 5,19800 51,98
100 4,30370 430,37
500 3,74764 1 873,82
1 000 3,26408 3 264,08

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