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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPP60R099C6-ND
Quantité disponible 314
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP60R099C6

Description MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx60R099C6
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 37,9A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 99 mOhms à 18,1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 1,21mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 119nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2660pF à 100V
Puissance max. 278W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP60R099C6XKSA1
SP000687556

01:17:14 12/3/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,07000 5,07
10 4,56100 45,61
100 3,73690 373,69
500 3,18118 1 590,59
1 000 2,68293 2 682,93

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