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Référence Digi-Key IPP60R074C6XKSA1-ND
Quantité disponible 589
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP60R074C6XKSA1

Description MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220
Description étendue N-Channel 600V 57.7A (Tc) 480.8W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP60R074C6
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 57,7 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 1,4mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 138nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3020pF à 100V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 480,8 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 74 mOhms à 21A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SP000898652

07:39:50 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 7,67000 7,67
10 6,92700 69,27
100 5,73450 573,45
500 4,99358 2 496,79
1 000 4,34925 4 349,25

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