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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPP60R040C7XKSA1-ND
Quantité disponible 800
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP60R040C7XKSA1

Description MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3
Description étendue N-Channel 600V 50A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 20 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP60R040C7
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™ C7
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 50 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 1,24 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 107 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4340 pF à 400 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 227 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 40 mOhms à 24,9 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SP001277604

17:08:36 3/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 12,92000 12,92
10 11,87600 118,76
100 10,03050 1 003,05
500 8,92282 4 461,41

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