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Référence Digi-Key IPP600N25N3 G-ND
Quantité disponible 5 280
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP600N25N3 G

Description MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx600N25N3 G
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 60 mOhms à 25A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 90µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 29nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2350pF à 100V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP600N25N3G
IPP600N25N3GXKSA1
SP000677832

10:43:50 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,05000 2,05
10 1,83700 18,37
100 1,47690 147,69
500 1,21340 606,70
1 000 1,00538 1 005,38

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