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Référence Digi-Key IPP600N25N3 G-ND
Quantité disponible 5 275
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP600N25N3 G

Description MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
Description étendue N-Channel 250V 25A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx600N25N3 G
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 25 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 90µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 29nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2350pF à 100V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 136 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 60 mOhms à 25A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP600N25N3G
IPP600N25N3GXKSA1
SP000677832

09:47:00 1/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,08000 2,08
10 1,87000 18,70
100 1,50300 150,30
500 1,23488 617,44
1 000 1,02319 1 023,19

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