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  • Ce composant est un échantillon technique et n'a pas été entièrement testé. Ce composant doit uniquement être utilisé pour l'évaluation fonctionnelle et la démonstration de faisabilité, et non pour la production ou l'utilisation finale.
Présentation des produits
Référence Digi-Key IPP220N25NFDAKSA1-ND
Quantité disponible 975
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP220N25NFDAKSA1

Description MOSFET N-CH 250V 61A TO220
Description étendue N-Channel 250V 61A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP220N25NFD
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 61 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 270µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 86nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7076pF à 125V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 300 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 22 mOhms à 61A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Colis standard ? 500
Autres Noms SP001108126

13:18:17 1/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,96000 4,96
10 4,45400 44,54
100 3,64960 364,96
500 3,10688 1 553,44
1 000 2,62025 2 620,25

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