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Référence Digi-Key IPP200N25N3 G-ND
Quantité disponible 3 709
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP200N25N3 G

Description MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx200N25N3 G
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 64A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 20 mOhms à 64A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 270µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 86nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 7100pF à 100V
Puissance max. 300W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP200N25N3G
IPP200N25N3GXKSA1
SP000677894

20:21:17 12/4/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,22000 6,22
10 5,59200 55,92
100 4,58140 458,14
500 3,90010 1 950,05
1 000 3,28923 3 289,23

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