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Référence Digi-Key IPP200N15N3GXKSA1-ND
Quantité disponible 19 028
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP200N15N3GXKSA1

Description MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
Description étendue N-Channel 150V 50A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx200N15N3 G
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Produit représenté Automatic Opening Systems
Data Processing Systems
Obsolescence PCN/ EOL Mult Dev EOL 20/Oct/2015
PCN, autre Multiple Changes 09/Jul/2014
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 50 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 8V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 90 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 31 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1820 pF à 75 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 150 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 20 mOhms à 50 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP200N15N3 G
IPP200N15N3 G-ND
IPP200N15N3G
SP000680884

21:39:13 3/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,20000 2,20
10 1,97500 19,75
100 1,58710 158,71
500 1,30390 651,95
1 000 1,08037 1 080,37

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