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Référence Digi-Key IPP180N10N3GXKSA1-ND
Quantité disponible 511
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP180N10N3GXKSA1

Description MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
Description étendue N-Channel 100V 43A (Tc) 71W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx180N10N3 G
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 43 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5 V à 33 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 25 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1800 pF à 50 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 71 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 18 mOhms à 33 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP180N10N3 G
IPP180N10N3 G-ND
IPP180N10N3G
SP000683090

20:02:11 2/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,80000 0,80
10 0,72200 7,22
100 0,56260 56,26
500 0,46474 232,37
1 000 0,36690 366,90

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