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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPP180N10N3GXKSA1-ND
Quantité disponible 2 195
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP180N10N3GXKSA1

Description MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx180N10N3 G
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 43A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 18 mOhms à 33A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 33µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 25nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1800pF à 50V
Puissance max. 71W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP180N10N3 G
IPP180N10N3 G-ND
IPP180N10N3G
SP000683090

14:10:47 12/3/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,81000 0,81
10 0,72900 7,29
100 0,56830 56,83
500 0,46948 234,74
1 000 0,37064 370,64

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