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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPP147N12N3 G-ND
Quantité disponible 2 585
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP147N12N3 G

Description MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPB144N12N3 G,IPx147N12N3 G
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 120V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 56A (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 14,7 mOhms à 56A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 61µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 49nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 3220pF à 60V
Puissance max. 107W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP147N12N3G
IPP147N12N3GXKSA1
SP000652742

12:48:26 12/8/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,41000 1,41
10 1,25400 12,54
100 0,97830 97,83
500 0,80814 404,07
1 000 0,63801 638,01

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