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Référence Digi-Key IPP147N12N3 G-ND
Quantité disponible 2 582
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP147N12N3 G

Description MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3
Description étendue N-Channel 120V 56A (Ta) 107W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPB144N12N3 G,IPx147N12N3 G
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 120V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 56A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 61µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 49nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 3220pF à 60V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 107W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 14,7 mOhms à 56A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP147N12N3G
IPP147N12N3GXKSA1
SP000652742

09:32:16 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,43000 1,43
10 1,27700 12,77
100 0,99560 99,56
500 0,82246 411,23
1 000 0,64930 649,30

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