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  • Ce composant est un échantillon technique et n'a pas été entièrement testé. Ce composant doit uniquement être utilisé pour l'évaluation fonctionnelle et la démonstration de faisabilité, et non pour la production ou l'utilisation finale.
Présentation des produits
Référence Digi-Key IPP120N20NFDAKSA1-ND
Quantité disponible 590
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP120N20NFDAKSA1

Description MOSFET N-CH 200V 84A TO220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP120N20NFD
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 84A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 12 mOhms à 84A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 270µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 87nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 6650pF à 100V
Puissance max. 300W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SP001108122

14:47:34 12/7/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,59000 4,59
10 4,12300 41,23
100 3,37850 337,85
500 2,87606 1 438,03
1 000 2,42560 2 425,60

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