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Référence Digi-Key IPP120N20NFDAKSA1-ND
Quantité disponible 949
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP120N20NFDAKSA1

Description MOSFET N-CH 200V 84A TO220
Description étendue N-Channel 200V 84A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP120N20NFD
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 84 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 270 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 87 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6650 pF à 100 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 300 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 12 mOhms à 84 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SP001108122

20:45:20 3/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,82000 4,82
10 4,33400 43,34
100 3,55090 355,09
500 3,02274 1 511,37
1 000 2,54931 2 549,31

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