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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPP111N15N3 G-ND
Quantité disponible 37
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP111N15N3 G

Description MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPB108N15N3 G,IPx111N15N3 G
Produit représenté Automatic Opening Systems
PCN, autre Multiple Changes 09/Jul/2014
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 83A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 11,1 mOhms à 83A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 160µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 55nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 3230pF à 75V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP111N15N3G
IPP111N15N3GXKSA1
SP000677860

13:04:37 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,38000 3,38
10 3,02800 30,28
100 2,48100 248,10
500 2,11208 1 056,04
1 000 1,78127 1 781,27

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