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Référence Digi-Key IPP111N15N3 G-ND
Quantité disponible 1 527
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP111N15N3 G

Description MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Description étendue N-Channel 150V 83A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPB108N15N3 G,IPx111N15N3 G
Produit représenté Automatic Opening Systems
Data Processing Systems
PCN, autre Multiple Changes 09/Jul/2014
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 83 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 8V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 160 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 55 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3230 pF à 75 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 214 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 11,1 mOhms à 83 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP111N15N3G
IPP111N15N3GXKSA1
SP000677860

17:46:21 2/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,34000 3,34
10 2,99800 29,98
100 2,45600 245,60
500 2,09080 1 045,40
1 000 1,76333 1 763,33

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