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Référence Digi-Key IPP110N20N3 G-ND
Quantité disponible 5 168
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP110N20N3 G

Description MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Description étendue N-Channel 200V 88A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPB107N20N3 G,IPx110N20N3 G
IPx1x0N20N3 G
Produit représenté Automatic Opening Systems
Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 88 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 270µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 87nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7100pF à 100V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 300 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 11 mOhms à 88A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP110N20N3G
IPP110N20N3GXKSA1
SP000677892

07:15:06 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,04000 6,04
10 5,42000 54,20
100 4,44040 444,04
500 3,78004 1 890,02
1 000 3,18798 3 187,98

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