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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPP110N20N3 G-ND
Quantité disponible 5 505
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP110N20N3 G

Description MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPB107N20N3 G,IPx110N20N3 G
IPx1x0N20N3 G
Produit représenté Automatic Opening Systems
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 88A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 11 mOhms à 88A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 270µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 87nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 7100pF à 100V
Puissance max. 300W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP110N20N3G
IPP110N20N3GXKSA1
SP000677892

06:38:48 12/5/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,93000 5,93
10 5,32600 53,26
100 4,36320 436,32
500 3,71426 1 857,13
1 000 3,13251 3 132,51

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