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Référence Digi-Key IPP052NE7N3GXKSA1-ND
Quantité disponible 11 513
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP052NE7N3GXKSA1

Description MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP,IPI052NE7N3 G
Obsolescence PCN/ EOL Mult Dev EOL 20/Oct/2015
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 75V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 80A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 5,2 mOhms à 80A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 91µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 68nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 4750pF à 37,5V
Puissance max. 150W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP052NE7N3 G
IPP052NE7N3 G-ND
IPP052NE7N3G
SP000641726

00:27:07 12/8/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,83000 1,83
10 1,64200 16,42
100 1,31960 131,96
500 1,08416 542,08
1 000 0,89831 898,31

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