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Référence Digi-Key IPP052NE7N3GXKSA1-ND
Quantité disponible 11 497
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP052NE7N3GXKSA1

Description MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Description étendue N-Channel 75V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP,IPI052NE7N3 G
Produit représenté Data Processing Systems
Obsolescence PCN/ EOL Mult Dev EOL 20/Oct/2015
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 75V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 80 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 91µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 68nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4750pF à 37,5V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 150 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 5,2 mOhms à 80A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP052NE7N3 G
IPP052NE7N3 G-ND
IPP052NE7N3G
SP000641726

00:56:32 1/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,86000 1,86
10 1,67100 16,71
100 1,34300 134,30
500 1,10336 551,68
1 000 0,91422 914,22

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