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Référence Digi-Key IPP048N12N3 G-ND
Quantité disponible 2 313
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP048N12N3 G

Description MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Description étendue N-Channel 120V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP048N12N3 G
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 120V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 230 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 182 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 12000 pF à 60 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 300 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,8 mOhms à 100 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP048N12N3G
IPP048N12N3GXKSA1
SP000652734

11:51:50 2/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,29000 3,29
10 2,95500 29,55
100 2,42090 242,09
500 2,06088 1 030,44
1 000 1,73810 1 738,10

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