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Référence Digi-Key IPP030N10N3GXKSA1-ND
Quantité disponible 508
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP030N10N3GXKSA1

Description MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Description étendue N-Channel 100V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP,IPI030N10N3 G
Produit représenté Data Processing Systems
Obsolescence PCN/ EOL Mult Dev EOL 20/Oct/2015
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 275µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 206nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 14800pF à 50V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 300 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3 mOhms à 100A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP030N10N3 G
IPP030N10N3 G-ND
IPP030N10N3G
SP000680768

22:34:56 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,74000 4,74
10 4,26200 42,62
100 3,49180 349,18
500 2,97256 1 486,28
1 000 2,50698 2 506,98

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