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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPP030N10N3GXKSA1-ND
Quantité disponible 534
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP030N10N3GXKSA1

Description MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP,IPI030N10N3 G
Obsolescence PCN/ EOL Mult Dev EOL 20/Oct/2015
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3 mOhms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 275µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 206nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 14800pF à 50V
Puissance max. 300W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP030N10N3 G
IPP030N10N3 G-ND
IPP030N10N3G
SP000680768

09:45:28 12/3/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,66000 4,66
10 4,18700 41,87
100 3,43110 343,11
500 2,92084 1 460,42
1 000 2,46336 2 463,36

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