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Référence Digi-Key IPP023N10N5AKSA1-ND
Quantité disponible 288
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP023N10N5AKSA1

Description MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Description étendue N-Channel 100V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP023N10N5
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 270µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 210nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 15600pF à 50V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 375 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,3 mOhms à 100A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SP001120504

10:26:08 1/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,92000 4,92
10 4,42200 44,22
100 3,62270 362,27
500 3,08394 1 541,97
1 000 2,60090 2 600,90

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