Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IPP023N10N5AKSA1-ND
Quantité disponible 39
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP023N10N5AKSA1

Description MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Description étendue N-Channel 100V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP023N10N5
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Produit représenté Data Processing Systems
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,8 V à 270 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 210 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 15600 pF à 50 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 375 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,3 mOhms à 100 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SP001120504

04:03:54 3/30/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,09000 5,09
10 4,56600 45,66
100 3,74120 374,12
500 3,18482 1 592,41
1 000 2,68599 2 685,99

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires