Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IPP023N10N5AKSA1-ND
Quantité disponible 386
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP023N10N5AKSA1

Description MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP023N10N5
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,3 mOhms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 270µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 210nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 15600pF à 50V
Puissance max. 375W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SP001120504

08:40:26 12/7/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,84000 4,84
10 4,34500 43,45
100 3,55960 355,96
500 3,03028 1 515,14
1 000 2,55565 2 555,65

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires