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Référence Digi-Key IPP020N06N-ND
Quantité disponible 768
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP020N06N

Description MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3
Description étendue N-Channel 60V 29A (Ta), 120A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP020N06N
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 29 A (Ta), 120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,8 V à 143 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 106 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7800 pF à 30 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3 W (Ta), 214 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2 mOhms à 100 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP020N06NAKSA1
SP000917406

05:34:50 3/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,61000 3,61
10 3,23800 32,38
100 2,65300 265,30
500 2,25846 1 129,23
1 000 1,90473 1 904,73

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