Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IPP020N06N-ND
Quantité disponible 1 078
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP020N06N

Description MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP020N06N
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 29A (Ta), 120A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2 mOhms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,8V à 143µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 106nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 7800pF à 30V
Puissance max. 3W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP020N06NAKSA1
SP000917406

02:30:59 12/4/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,43000 3,43
10 3,08100 30,81
100 2,52430 252,43
500 2,14888 1 074,44
1 000 1,81230 1 812,30

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires