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Référence Digi-Key IPD50P04P413ATMA1CT-ND
Quantité disponible 2 688
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPD50P04P413ATMA1

Description MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Description étendue P-Channel 40V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 26 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPD50P04P4-13
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 50 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 85 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 51 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3670 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 58 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 12,6 mOhms à 50 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PG-TO252-3-313
Boîtier TO-252-3, DPak (2 broches + languette), SC-63
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms IPD50P04P413ATMA1CT

12:16:10 3/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,88000 0,88
10 0,77200 7,72
100 0,59230 59,23
500 0,46820 234,10
1 000 0,37456 374,56

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : IPD50P04P413ATMA1TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2 500
  • Quantité disponible: 2 500 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,32956
  • Digi-Reel® ? : IPD50P04P413ATMA1DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 2 688 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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