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Référence Digi-Key IPD30N06S2L23ATMA3CT-ND
Quantité disponible 13 917
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPD30N06S2L23ATMA3

Description MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Description étendue N-Channel 55V 30A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 26 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPD30N06S2L-23
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 55V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2 V à 50 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 42 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1091 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 100 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 23 mOhms à 22 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PG-TO252-3-11
Boîtier TO-252-3, DPak (2 broches + languette), SC-63
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms IPD30N06S2L23ATMA3CT

17:21:05 2/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,82000 0,82
10 0,72400 7,24
100 0,55450 55,45
500 0,43830 219,15
1 000 0,35064 350,64

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : IPD30N06S2L23ATMA3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2 500
  • Quantité disponible: 12 500 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,30851
  • Digi-Reel® ? : IPD30N06S2L23ATMA3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 13 917 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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