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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPB123N10N3 GCT-ND
Quantité disponible 2 704
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPB123N10N3 G

Description MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPB123N10N3G, (IPP,IPI)126N10N3
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 58A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 12,3 mOhms à 46A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 46µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 35nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2500pF à 50V
Puissance max. 94W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 broches+languette), TO-263AB
Boîtier fournisseur PG-TO263-2
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms IPB123N10N3 GCT

12:23:17 12/7/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,55000 1,55
10 1,38000 13,80
100 1,07550 107,55
500 0,88850 444,25

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : IPB123N10N3 GTR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1 000
  • Quantité disponible: 2 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,68101
  • Digi-Reel® ? : IPB123N10N3 GDKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 2 704 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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