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Référence Digi-Key IPB108N15N3 GCT-ND
Quantité disponible 2 651
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPB108N15N3 G

Description MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
Description étendue N-Channel 150V 83A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPB108N15N3 G,IPx111N15N3 G
Produit représenté Automatic Opening Systems
Data Processing Systems
PCN, autre Multiple Changes 09/Jul/2014
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 83 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 8V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 160 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 55 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3230 pF à 75 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 214 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 10,8 mOhms à 83 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PG-TO263-2
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 broches + languette), TO-263AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms IPB108N15N3 GCT

09:36:03 2/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,44000 3,44
10 3,09200 30,92
100 2,53370 253,37
500 2,15688 1 078,44

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : IPB108N15N3 GTR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1 000
  • Quantité disponible: 2 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 1,76607
  • Digi-Reel® ? : IPB108N15N3 GDKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 2 651 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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