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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPB083N10N3 GCT-ND
Quantité disponible 3 584
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPB083N10N3 G

Description MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx08xN10N3 G
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 80A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 8,3 mOhms à 73A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 75µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 55nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 3980pF à 50V
Puissance max. 125W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 broches+languette), TO-263AB
Boîtier fournisseur PG-TO263-2
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms IPB083N10N3 GCT

08:39:07 12/4/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,15000 1,15
10 1,03200 10,32
100 0,80430 80,43
500 0,66444 332,22

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : IPB083N10N3 GTR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1 000
  • Quantité disponible: 3 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,50927
  • Digi-Reel® ? : IPB083N10N3 GDKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 3 584 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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