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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPB083N10N3 GCT-ND
Quantité disponible 835
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPB083N10N3 G

Description MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
Description étendue N-Channel 100V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx08xN10N3 G
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 80 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5 V à 75 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 55 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3980 pF à 50 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 125 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 8,3 mOhms à 73 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PG-TO263-2
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 broches + languette), TO-263AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms IPB083N10N3 GCT

07:18:15 3/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,21000 1,21
10 1,08500 10,85
100 0,84540 84,54
500 0,69832 349,16

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : IPB083N10N3 GTR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1 000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,53525
  • Digi-Reel® ? : IPB083N10N3 GDKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 835 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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