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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPB038N12N3 GCT-ND
Quantité disponible 1 996
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPB038N12N3 G

Description MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 120V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3,8 mOhms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 270µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 211nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 13800pF à 60V
Puissance max. 300W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 broches+languette), TO-263AB
Boîtier fournisseur PG-TO263-2
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms IPB038N12N3 GCT

22:01:47 12/8/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,77000 4,77
10 4,28700 42,87
100 3,51270 351,27
500 2,99024 1 495,12

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : IPB038N12N3 GTR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1 000
  • Quantité disponible: 1 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 2,44844
  • Digi-Reel® ? : IPB038N12N3 GDKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 1 996 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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