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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPB017N08N5ATMA1CT-ND
Quantité disponible 909
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPB017N08N5ATMA1

Description MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPB017N08N5
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,7 mOhms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 280µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 223nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 16900pF à 40V
Puissance max. 375W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 broches+languette), TO-263AB
Boîtier fournisseur PG-TO263-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms IPB017N08N5ATMA1CT

04:35:40 12/6/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,82000 4,82
10 4,32500 43,25
100 3,54370 354,37
500 3,01668 1 508,34

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : IPB017N08N5ATMA1TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1 000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 2,47009
  • Digi-Reel® ? : IPB017N08N5ATMA1DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 909 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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