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Référence Digi-Key IPA65R190CFD-ND
Quantité disponible 852
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPA65R190CFD

Description MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
Description étendue N-Channel 650V 17.5A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx65R190CFD
Produit représenté Data Processing Systems
Conception/spécification PCN LeadFrame Design Chg 25/May/2016
Assemblage/origine PCN Fab/Test Site Transfer 28/May/2015
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 730µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 68nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1850 pF à 100 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 34 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 190 mOhms à 7,3 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur Boîtier complet PG-TO220
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPA65R190CFDXKSA1
SP000905382

00:40:45 1/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,81000 2,81
10 2,52800 25,28
100 2,07150 207,15
500 1,76342 881,71
1 000 1,48723 1 487,23

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