Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IPA65R190CFD-ND
Quantité disponible 852
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPA65R190CFD

Description MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
Description étendue N-Channel 650V 17.5A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx65R190CFD
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Produit représenté Data Processing Systems
Conception/spécification PCN LeadFrame Design Chg 25/May/2016
Assemblage/origine PCN Fab/Test Site Transfer 28/May/2015
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 730 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 68 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1850 pF à 100 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 34 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 190 mOhms à 7,3 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur Boîtier complet PG-TO220
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPA65R190CFDXKSA1
SP000905382

06:23:28 3/29/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,91000 2,91
10 2,61100 26,11
100 2,13930 213,93
500 1,82112 910,56
1 000 1,53589 1 535,89

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires