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Référence Digi-Key IPA65R150CFDXKSA1-ND
Quantité disponible 2 990
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPA65R150CFDXKSA1

Description MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
Description étendue N-Channel 650V 22.4A (Tc) 34.7W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx65R150CFD
Produit représenté Data Processing Systems
Conception/spécification PCN LeadFrame Design Chg 25/May/2016
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 22,4 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 86nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2340pF à 100V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 34,7 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 150 mOhms à 9,3A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur Boîtier complet PG-TO220
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SP000907026

03:01:13 1/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,32000 3,32
10 2,98400 29,84
100 2,44470 244,47
500 2,08114 1 040,57
1 000 1,75517 1 755,17

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