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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPA60R199CPXKSA1-ND
Quantité disponible 736
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPA60R199CPXKSA1

Description MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 199 mOhms à 9,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 1,1mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 43nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1520pF à 100V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO-220-FP
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPA60R199CP
IPA60R199CP-ND
SP000094146

14:26:32 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,13000 3,13
10 2,81100 28,11
100 2,30320 230,32
500 1,96068 980,34
1 000 1,65359 1 653,59

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