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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPA60R199CPXKSA1-ND
Quantité disponible 736
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPA60R199CPXKSA1

Description MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
Description étendue N-Channel 650V 16A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO-220-FP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPA60R199CP
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Produit représenté Data Processing Systems
Conception/spécification PCN Wafer Dia/Halogen free mold Chg 2/Mar/2016
LeadFrame Design Chg 25/May/2016
Assemblage/origine PCN Fab/Test Site Transfer 28/May/2015
TO220 Fullpak Assembly Site Chg 3/Dec/2015
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 16 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 1,1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 43nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1520pF à 100V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 34 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 199 mOhms à 9,9A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO-220-FP
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPA60R199CP
IPA60R199CP-ND
SP000094146

18:48:20 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,19000 3,19
10 2,86100 28,61
100 2,34400 234,40
500 1,99540 997,70
1 000 1,68287 1 682,87

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