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Référence Digi-Key IPA086N10N3 G-ND
Quantité disponible 5 928
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPA086N10N3 G

Description MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP
Description étendue N-Channel 100V 45A (Tc) 37.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPA086N10N3 G
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Produit représenté Data Processing Systems
Assemblage/origine PCN Fab/Test Site Transfer 28/May/2015
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 45 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5 V à 75 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 55 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3980 pF à 50 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 37,5 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 8,6 mOhms à 45 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO220-FP
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPA086N10N3G
IPA086N10N3GXKSA1
SP000485984

15:57:33 3/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,41000 1,41
10 1,25700 12,57
100 0,98030 98,03
500 0,80982 404,91
1 000 0,63932 639,32

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