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Référence Digi-Key IPA086N10N3 G-ND
Quantité disponible 6 054
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPA086N10N3 G

Description MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPA086N10N3 G
Assemblage/origine PCN Fab/Test Site Transfer 28/May/2015
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 45A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 8,6 mOhms à 45A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 75µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 55nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 3980pF à 50V
Puissance max. 37,5W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO220-FP
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPA086N10N3G
IPA086N10N3GXKSA1
SP000485984

10:24:12 12/8/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,34000 1,34
10 1,19700 11,97
100 0,93270 93,27
500 0,77052 385,26
1 000 0,60830 608,30

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