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Présentation des produits
Référence Digi-Key IDW30G65C5-ND
Quantité disponible 550
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IDW30G65C5

Description Diode Silicon Carbide Schottky 650V 30A (DC) Through Hole PG-TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IDW30G65C5
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Diodes - Redresseurs - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série thinQ!™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type diode Carbure de silicium Schottky
Tension - inverse (Vr) (max.) 650V
Courant - moyen, redressé (Io) 30A (CC)
Tension - directe (Vf) (max.) à If 1,7V à 30A
Vitesse Pas de temps de recouvrement > 500 mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr) 0ns
Courant - de fuite, inverse à Vr 1,1mA à 650V
Capacité à Vr, F 860pF à 1V, 1MHz
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 240
Autres Noms IDW30G65C5FKSA1
SP000937052

11:51:03 12/3/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 13,07000 13,07
10 12,01600 120,16
100 10,14790 1 014,79
500 9,02724 4 513,62
1 000 8,28016 8 280,16

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