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Présentation des produits
Référence Digi-Key IDW10G65C5FKSA1-ND
Quantité disponible 229
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IDW10G65C5FKSA1

Description DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3
Description étendue Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole PG-TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Documents et supports
Fiches techniques IDW10G65C5
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Produit représenté Data Processing Systems
Modification de pièce PCN Mult Device Status CHG 24/Feb/2017
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série thinQ!™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce En fin de cycle chez Digi-Key
Type diode Carbure de silicium Schottky
Tension - inverse (Vr) (max.) 650 V
Courant - moyen, redressé (Io) 10 A (CC)
Tension - directe (Vf) (max.) à If 1,7 V à 10 A
Vitesse Pas de temps de recouvrement > 500 mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr) 0ns
Courant - de fuite, inverse à Vr 400 µA à 650 V
Capacité à Vr, F 300 pF à 1 V, 1 MHz
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C
 
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Colis standard ? 240
Autres Noms IDW10G65C5
IDW10G65C5-ND
SP000937038

00:15:26 3/30/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,78000 5,78
10 5,18700 51,87
100 4,25050 425,05
500 3,61830 1 809,15
1 000 3,05157 3 051,57

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