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Présentation des produits
Référence Digi-Key IDH12SG60C-ND
Quantité disponible 500
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IDH12SG60C

Description DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2
Description étendue Diode Silicon Carbide Schottky 600V 12A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IDH12SG60C
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série thinQ!™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type diode Carbure de silicium Schottky
Tension - inverse (Vr) (max.) 600 V
Courant - moyen, redressé (Io) 12 A (CC)
Tension - directe (Vf) (max.) à If 2,1 V à 12 A
Vitesse Pas de temps de recouvrement > 500 mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr) 0ns
Courant - de fuite, inverse à Vr 100 µA à 600 V
Capacité à Vr, F 310 pF à 1 V, 1 MHz
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-2
Boîtier fournisseur PG-TO220-2
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms IDH12SG60CXKSA1
SP000523738

10:14:02 3/30/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,56000 6,56
10 5,92800 59,28
100 4,90800 490,80
500 4,27386 2 136,93
1 000 3,72240 3 722,40

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