Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IDH10G65C5-ND
Quantité disponible 434
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IDH10G65C5

Description DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2
Description étendue Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IDH10G65C5
Produit représenté Data Processing Systems
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série thinQ!™
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type diode Carbure de silicium Schottky
Tension - inverse (Vr) (max.) 650 V
Courant - moyen, redressé (Io) 10 A (CC)
Tension - directe (Vf) (max.) à If 1,7 V à 10 A
Vitesse Pas de temps de recouvrement > 500 mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr) 0ns
Courant - de fuite, inverse à Vr 340 µA à 650 V
Capacité à Vr, F 300 pF à 1 V, 1 MHz
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-2
Boîtier fournisseur PG-TO220-2
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IDH10G65C5XKSA1
SP000925208

14:14:12 2/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,31000 5,31
10 4,76900 47,69
100 3,90700 390,70
500 3,32596 1 662,98
1 000 2,80504 2 805,04

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires