• Version n'étant plus fabriquée. Consultez les options de substitution ou de boîtier alternatives.
Présentation des produits
Référence Digi-Key IDH08G65C5XKSA1-ND
Quantité disponible 0
Fabricant

Référence fabricant

IDH08G65C5XKSA1

Description DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2
Description étendue Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Documents et supports
Fiches techniques IDH08G65C5
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Produit représenté Solid State RF Powered Oven Solution
Data Processing Systems
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série thinQ!™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce En fin de cycle chez Digi-Key
Type diode Carbure de silicium Schottky
Tension - inverse (Vr) (max.) 650 V
Courant - moyen, redressé (Io) 8 A (CC)
Tension - directe (Vf) (max.) à If 1,7 V à 8 A
Vitesse Pas de temps de recouvrement > 500 mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr) 0ns
Courant - de fuite, inverse à Vr 280 µA à 650 V
Capacité à Vr, F 250 pF à 1 V, 1 MHz
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-2
Boîtier fournisseur PG-TO220-2
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IDH08G65C5
IDH08G65C5-ND
SP000925204

16:25:35 3/26/2017

Envoyez vos commentaires