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Référence Digi-Key BSZ42DN25NS3 GCT-ND
Quantité disponible 7 706
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

BSZ42DN25NS3 G

Description MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Description étendue N-Channel 250V 5A (Tc) 33.8W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques BSZ42DN25NS3 G
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Produit représenté Data Processing Systems
Power MOSFETs for Wireless Charging
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 13 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 5,5 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 430 pF à 100 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 33,8 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 425 mOhms à 2,5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PG-TSDSON-8
Boîtier 8-PowerTDFN
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms BSZ42DN25NS3 GCT

23:04:01 3/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,04000 1,04
10 0,92600 9,26
100 0,72210 72,21
500 0,59650 298,25
1 000 0,47091 470,91

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : BSZ42DN25NS3 GTR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 5 000
  • Quantité disponible: 5 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,40538
  • Digi-Reel® ? : BSZ42DN25NS3 GDKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 7 706 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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