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Présentation des produits
Référence Digi-Key BSZ12DN20NS3GATMA1CT-ND
Quantité disponible 7 078
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

BSZ12DN20NS3GATMA1

Description MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Description étendue N-Channel 200V 11.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques BSZ12DN20NS3G
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11,3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 25 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8,7 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 680 pF à 100 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 50 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 125 mOhms à 5,7 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PG-TSDSON-8
Boîtier 8-PowerTDFN
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms BSZ12DN20NS3GCT
BSZ12DN20NS3GCT-ND

21:43:29 3/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,29000 1,29
10 1,15700 11,57
100 0,90240 90,24
500 0,74546 372,73
1 000 0,58852 588,52

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : BSZ12DN20NS3GATMA1TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 5 000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,50662
  • Digi-Reel® ? : BSZ12DN20NS3GATMA1DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 7 078 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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