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Présentation des produits
Référence Digi-Key BSZ12DN20NS3GATMA1CT-ND
Quantité disponible 7 887
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

BSZ12DN20NS3GATMA1

Description MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques BSZ12DN20NS3G
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11,3A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 125 mOhms à 5,7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 25µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 8,7nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 680pF à 100V
Puissance max. 50W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier 8-PowerTDFN
Boîtier fournisseur PG-TSDSON-8 (3,3x3,3)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms BSZ12DN20NS3GCT
BSZ12DN20NS3GCT-ND

16:56:43 12/4/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,24000 1,24
10 1,10200 11,02
100 0,85860 85,86
500 0,70928 354,64
1 000 0,55997 559,97

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : BSZ12DN20NS3GATMA1TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 5 000
  • Quantité disponible: 5 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,48204
  • Digi-Reel® ? : BSZ12DN20NS3GATMA1DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 7 887 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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