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Référence Digi-Key BSZ110N06NS3GINCT-ND
Quantité disponible 13 471
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

BSZ110N06NS3 G

Description MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
Description étendue N-Channel 60V 20A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques BSZ110N06NS3G
BSZ110N06NS3 G
Produit représenté Data Processing Systems
PCN, autre Multiple Changes 09/Jul/2014
Page de catalogue 1535 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 23µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 33nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2700pF à 30V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,1W (Ta), 50W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 11 mOhms à 20A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PG-TSDSON-8
Boîtier 8-PowerVDFN
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms BSZ110N06NS3GINCT

16:45:34 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,63000 0,63
10 0,55500 5,55
100 0,42520 42,52
500 0,33612 168,06
1 000 0,26890 268,90

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : BSZ110N06NS3GINTR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 5 000
  • Quantité disponible: 10 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,22027
  • Digi-Reel® ? : BSZ110N06NS3GINDKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 13 471 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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