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Référence Digi-Key BSZ086P03NS3E GCT-ND
Quantité disponible 6 368
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

BSZ086P03NS3E G

Description MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
Description étendue P-Channel 30V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques BSZ086P03NS3E G
Produit représenté Data Processing Systems
PCN, autre Multiple Changes 09/Jul/2014
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13,5 A (Ta), 40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,1 V à 105 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 57,5 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4785 pF à 15 V
Vgs (max.) ±25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,1 W (Ta), 69 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 8,6 mOhms à 20 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PG-TSDSON-8
Boîtier 8-PowerTDFN
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms BSZ086P03NS3E GCT

21:55:20 2/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,80000 0,80
10 0,70600 7,06
100 0,54080 54,08
500 0,42754 213,77
1 000 0,34202 342,02

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : BSZ086P03NS3E GTR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 5 000
  • Quantité disponible: 5 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,28018
  • Digi-Reel® ? : BSZ086P03NS3E GDKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 6 368 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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