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Référence Digi-Key BSP316PH6327XTSA1CT-ND
Quantité disponible 2 775
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

BSP316PH6327XTSA1

Description MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
Description étendue P-Channel 100V 680mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques BSP316P
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Produit représenté Data Processing Systems
Assemblage/origine PCN Plating Supplier/Wafer Site Add 14/Feb/2017
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série SIPMOS®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 680 mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2 V à 170 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6,4 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 146 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,8 W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,8 Ohms à 680 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PG-SOT223-4
Boîtier TO-261-4, TO-261AA
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms BSP316PH6327XTSA1CT

06:27:22 3/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,55000 0,55
10 0,46800 4,68
100 0,34980 34,98
500 0,27492 137,46

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : BSP316PH6327XTSA1TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1 000
  • Quantité disponible: 2 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,20625
  • Digi-Reel® ? : BSP316PH6327XTSA1DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 2 775 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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