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Référence Digi-Key BSC900N20NS3GCT-ND
Quantité disponible 5 658
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

BSC900N20NS3 G

Description MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
Description étendue N-Channel 200V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques BSC900N20NS3G
Produit représenté Data Processing Systems
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종류
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 15,2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 30µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 11,6nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 920pF à 100V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 62,5W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 90 mOhms à 7,6A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PG-TDSON-8
Boîtier 8-PowerTDFN
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms BSC900N20NS3GCT

03:18:32 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,57000 1,57
10 1,40400 14,04
100 1,09460 109,46
500 0,90422 452,11
1 000 0,71386 713,86

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : BSC900N20NS3GTR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 5 000
  • Quantité disponible: 5 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,61452
  • Digi-Reel® ? : BSC900N20NS3GDKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 5 658 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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