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Présentation des produits
Référence Digi-Key BSC082N10LSGATMA1CT-ND
Quantité disponible 4 001
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

BSC082N10LSGATMA1

Description MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques BSC082N10LS G
Assemblage/origine PCN Assembly Site Add 20/Jun/2016
Assembly Site Update 26/Jul/2016
PCN, autre Multiple Changes 09/Jul/2014
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13,8A (Ta), 100A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 8,2 mOhms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,4V à 110µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 104nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 7400pF à 50V
Puissance max. 156W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier 8-PowerTDFN
Boîtier fournisseur PG-TDSON-8
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms BSC082N10LS GCT
BSC082N10LS GCT-ND
BSC082N10LSGATMA1CT-NDTR-ND

12:36:35 12/7/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,90000 1,90
10 1,69900 16,99
100 1,36560 136,56
500 1,12196 560,98
1 000 0,92962 929,62

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : BSC082N10LSGATMA1TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 5 000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,80918
  • Digi-Reel® ? : BSC082N10LSGATMA1DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 4 001 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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