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Présentation des produits
Référence Digi-Key BSC050N03LSGATMA1CT-ND
Quantité disponible 7 879
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

BSC050N03LSGATMA1

Description MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques BSC050N03LS G
Assemblage/origine PCN Assembly Site Add 20/Jun/2016
Assembly Site Update 26/Jul/2016
PCN, autre Multiple Changes 09/Jul/2014
Page de catalogue 1535 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 5 mOhms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 35nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2800pF à 15V
Puissance max. 50W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier 8-PowerTDFN
Boîtier fournisseur PG-TDSON-8
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms BSC050N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC050N03LSGINCT
BSC050N03LSGINCT-ND

20:26:53 12/4/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,67000 0,67
10 0,59300 5,93
100 0,45470 45,47
500 0,35942 179,71
1 000 0,28753 287,53

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : BSC050N03LSGATMA1TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 5 000
  • Quantité disponible: 5 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,23554
  • Digi-Reel® ? : BSC050N03LSGATMA1DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 7 879 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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