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Référence Digi-Key BSC036NE7NS3GATMA1CT-ND
Quantité disponible 8 260
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

BSC036NE7NS3GATMA1

Description MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8
Description étendue N-Channel 75V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques BSC036NE7NS3 G
Produit représenté Data Processing Systems
PCN, autre Multiple Changes 09/Jul/2014
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 75V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,8 V à 110 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 63,4 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4400 pF à 37,5 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,5 W (Ta), 156 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3,6 mOhms à 50 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PG-TDSON-8
Boîtier 8-PowerTDFN
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms BSC036NE7NS3GATMA1CT

15:37:04 2/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,62000 2,62
10 2,35900 23,59
100 1,93270 193,27
500 1,64526 822,63
1 000 1,38758 1 387,58

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : BSC036NE7NS3GATMA1TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 5 000
  • Quantité disponible: 5 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 1,23169
  • Digi-Reel® ? : BSC036NE7NS3GATMA1DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 8 260 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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