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Référence Digi-Key BSC030P03NS3 GCT-ND
Quantité disponible 4 461
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

BSC030P03NS3 G

Description MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
Description étendue P-Channel 30V 25.4A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 heures)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques BSC030P03NS3 G
Produit représenté Data Processing Systems
PCN, autre Multiple Changes 09/Jul/2014
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 25,4A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,1V à 345µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 186nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 14000pF à 15V
Vgs (Max) ±25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,5W (Ta), 125W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3 mOhms à 50A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PG-TDSON-8
Boîtier 8-PowerTDFN
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms BSC030P03NS3 GCT

02:11:52 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,43000 1,43
10 1,28300 12,83
100 1,03180 103,18
500 0,84772 423,86
1 000 0,70240 702,40

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : BSC030P03NS3 GTR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 5 000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,62550
  • Digi-Reel® ? : BSC030P03NS3 GDKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 4 461 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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