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Référence Digi-Key BSC014NE2LSICT-ND
Quantité disponible 46 577
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

BSC014NE2LSI

Description MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8
Description étendue N-Channel 25V 33A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques BSC014NE2LSI
Produit représenté Data Processing Systems
Conception/spécification PCN OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 25V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 33 A (Ta), 100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 39nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2700 pF à 12 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,5 W (Ta), 74 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,4 mOhms à 30A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PG-TDSON-8
Boîtier 8-PowerTDFN
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms BSC014NE2LSICT

11:31:32 1/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,07000 1,07
10 0,96300 9,63
100 0,75040 75,04
500 0,61986 309,93
1 000 0,48935 489,35

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : BSC014NE2LSITR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 5 000
  • Quantité disponible: 40 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,42126
  • Digi-Reel® ? : BSC014NE2LSIDKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 46 577 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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