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Présentation des produits
Référence Digi-Key BSB165N15NZ3 GCT-ND
Quantité disponible 3 230
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

BSB165N15NZ3 G

Description MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
Description étendue N-Channel 150V 9A (Ta), 45A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 heures)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques BSB165N15NZ3 G
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9 A (Ta), 45 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 8V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 110 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 35 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2800 pF à 75 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,8 W (Ta), 78 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 16,5 mOhms à 30 A, 10 V
Température d’utilisation -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur MG-WDSON-2, CanPAK M™
Boîtier 3-WDSON
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms BSB165N15NZ3 GCT

21:53:36 2/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,83000 2,83
10 2,54200 25,42
100 2,08270 208,27
500 1,77298 886,49
1 000 1,49528 1 495,28

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : BSB165N15NZ3 GTR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 5 000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 1,32730
  • Digi-Reel® ? : BSB165N15NZ3 GDKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 3 230 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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