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Présentation des produits
Référence Digi-Key BSB044N08NN3 GCT-ND
Quantité disponible 19 444
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

BSB044N08NN3 G

Description MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 heures)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques BSB044N08NN3 G
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18A (Ta), 90A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,4 mOhms à 30 A, 10 V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 97µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 73nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 5700 pF à 40 V
Puissance max. 78W
Température d’utilisation -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier 3-WDSON
Boîtier fournisseur MG-WDSON-2, CanPAK M™
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms BSB044N08NN3 GCT

18:22:56 12/7/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,71000 2,71
10 2,43100 24,31
100 1,95400 195,40
500 1,60542 802,71
1 000 1,33020 1 330,20

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : BSB044N08NN3 GTR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 5 000
  • Quantité disponible: 15 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 1,15786
  • Digi-Reel® ? : BSB044N08NN3 GDKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 19 444 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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