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Référence Digi-Key 1242-1187-ND
Quantité disponible 45
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

GA10JT12-247

Description TRANS SJT 1.2KV 10A
Description étendue 1200V (1.2kV) 10A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 18 semaines
Documents et supports
Fiches techniques GA10JT12-247
Ressources de conception GA10JT12-247 Spice Model
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종류
Fabricant

GeneSiC Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET -
Technologie SiC (transistor à jonction en carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs(th) (max.) à Id -
Charge de porte (Qg) à Vgs -
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds -
Vgs (Max) 3,5V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 170W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 140 mOhms à 10A
Température d’utilisation 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AB
Boîtier TO-247-3
 
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Colis standard ? 30
Autres Noms 1242-1187
GA10JT12247

07:38:28 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 19,15000 19,15
10 17,41100 174,11
25 16,10480 402,62
100 14,79890 1 479,89
250 13,49308 3 373,27
500 12,62254 6 311,27

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