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Référence Digi-Key 1242-1187-ND
Quantité disponible 42
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

GA10JT12-247

Description TRANS SJT 1.2KV 10A
Description étendue 1200V (1.2kV) 10A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 18 semaines
Documents et supports
Fiches techniques GA10JT12-247
Ressources de conception GA10JT12-247 Spice Model
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Catégories
Fabricant

GeneSiC Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET -
Technologie SiC (transistor à jonction en carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) -
Vgs(th) (max.) à Id -
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs -
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds -
Vgs (max.) 3,5 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 170 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 140 mOhms à 10 A
Température d’utilisation 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AB
Boîtier TO-247-3
 
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Colis standard ? 30
Autres Noms 1242-1187
GA10JT12247

03:39:24 3/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 18,83000 18,83
10 17,12400 171,24
25 15,83960 395,99
100 14,55530 1 455,53
250 13,27096 3 317,74

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