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Référence Digi-Key 1242-1317-ND
Quantité disponible 98
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

GA100JT12-227

Description TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Description étendue TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 18 semaines
Documents et supports
Fiches techniques GA100JT12-227
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Catégories
Fabricant

GeneSiC Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET -
Technologie SiC (transistor à jonction en carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 160 A
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) -
Vgs(th) (max.) à Id -
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs -
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 14400pF à 800V
Vgs (max.) 3,42V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 535 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 10 mOhms à 100A
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Montage sur châssis
Boîtier fournisseur SOT-227
Boîtier SOT-227-4, miniBLOC
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 10
Autres Noms 1242-1317
GA100JT12-227-ND

19:51:31 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 183,80000 183,80
10 174,92600 1 749,26
25 168,58880 4 214,72

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