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Référence Digi-Key 1242-1135-ND
Quantité disponible 726
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

GA08JT17-247

Description TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB
Description étendue 1700V (1.7kV) 8A (Tc) (90°C) 48W (Tc) Through Hole TO-247AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 18 semaines
Documents et supports
Fiches techniques GA08JT17-247
Produit représenté Silicon Carbide Transistor
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Catégories
Fabricant

GeneSiC Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET -
Technologie SiC (transistor à jonction en carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss) 1700V (1,7kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8 A (Tc) (90°C)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) -
Vgs(th) (max.) à Id -
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs -
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds -
Vgs (max.) 3V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 48 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 250 mOhms à 8A
Température d’utilisation 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AB
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30
Autres Noms 1242-1135
GA08JT17247

12:25:51 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 52,08000 52,08
10 49,01300 490,13
25 45,94960 1 148,74
100 43,80520 4 380,52

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